硅基OLED分辨率突破10000PPI

添加時間：2025/02/17

      微型顯示器一項關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)突破，可以從根本上解決像素干擾這一超高分辨率微型顯示器長期存在的挑戰(zhàn)。

      微型顯示器是非常小的高分辨率顯示器，通常顯示面板的尺寸小于一英寸。

      像素干擾是高分辨率顯示器中相鄰像素之間電信號或光信號重疊的現(xiàn)象，導致色彩純度和色域降低。

      韓國國家研究基金會宣布，由漢陽大學金道煥教授、延世大學趙正浩教授和西江大學姜文成教授組成的聯(lián)合研究團隊開發(fā)出超高分辨率有機發(fā)光二極管（OLED）微型顯示器的核心技術(shù)，該技術(shù)即使在高密度像素環(huán)境下也能實現(xiàn)清晰的畫質(zhì)，而不會受到信號干擾。

      據(jù)韓國國家研究基金會稱，隨著對使用擴展現(xiàn)實技術(shù)的逼真內(nèi)容的需求不斷增長，開發(fā)能夠提供逼真的視覺信息并提供即時沉浸感的OLED微型顯示器的需求也日益增長。

      但隨著分辨率的提高，像素之間的距離越來越接近幾個微米的級別，這會造成電信號干擾，導致色域和色彩純度的降低。

      為了解決這個問題，對像素之間共用的空穴傳輸層進行精細圖案化以阻止漏電流流向相鄰像素非常重要。然而，目前廣泛用作空穴傳輸層的小分子有機半導體一直是實現(xiàn)高密度像素的未解決的挑戰(zhàn)。

      據(jù)此，研究團隊開發(fā)出可實現(xiàn)超過1萬ppi超精細圖案的有機半導體空穴傳輸材料，成功實現(xiàn)即使在高密度像素環(huán)境下也不會產(chǎn)生信號干擾的高分辨率OLED器件。

      該研究團隊開發(fā)出一種技術(shù)，通過利用基于各向異性蝕刻的硅（Si）半導體光刻工藝將硅分子引入交聯(lián)空穴傳輸層，即使在大面積晶圓上也可以實現(xiàn)微米級的超高分辨率像素。

      此外，通過引入硅分子來控制有機半導體基空穴傳輸層的能級和空穴傳輸速度，提高了OLED的發(fā)光效率。

      金道煥教授表示：“這項研究成果意義重大，因為它大大改善了現(xiàn)有微顯示器材料和圖案工藝無法解決的像素干擾現(xiàn)象。”他補充道，“它有望擴大和加速高分辨率微顯示器在構(gòu)建超現(xiàn)實擴展現(xiàn)實方面的應(yīng)用潛力?！?/p>

      該項研究成果于1月27日在國際學術(shù)期刊《自然電子學》上在線發(fā)表。